新华社沈阳４月１６日电（记者王莹）沈阳拓荆科技有限公司承担的“十一五”科技重大专项“９０－６５ｎｍ等离子体增强化学气相沉积（ＰＥＣＶＤ）设备研发与应用”项目１５日通过国家重大专项办公室验收，标志着我国１２英寸ＰＥＣＶＤ设备实现国产化，填补了国内空白，打破了国际垄断，提升了我国集成电路产业整体竞争力。
ＰＥＣＶＤ是芯片制造的４种较重要设备之一，一条投资７０亿美元的芯片制造生产线，需用约５亿美金采购１００多台ＰＥＣＶＤ设备。其核心技术是利用等离子体增强化学气相沉积法，在硅晶片表面镀一层固态薄膜。该技术完全被美日等少数发达国家垄断，设备进口受到严格限制。
“９０－６５ｎｍ ＰＥＣＶＤ设备”是用于１２英寸芯片生产线的专用设备，是当今国际主流薄膜沉积设备。沈阳拓荆科技有限公司前身为中科院沈阳科学仪器股份有限公司ＰＥＣＶＤ事业部，２０１０年成立独立公司，由“千人计划”专家姜谦带领团队，专项研制１２英寸ＰＥＣＶＤ设备。几年来相继攻克了设备平台设计、薄膜工艺开发、薄膜均匀性控制等关键技术，产品通过国内１２英寸集成电路生产线考核验收，各项指标达到国际水平，成本为国际设备的７０％。目前设备已销售至中芯国际、苏州晶方、武汉新芯、华天科技等企业，产品及服务得到用户的一致认可。
通过项目的实施，拓荆公司申请专利３００项，建立技术标准９项，形成了５项新产品，推动子系统供应商发展相关技术及产品国产化率达到７０％。
